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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院申请的专利基于异质结的铁电电容型光电探测器件及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310400635.X，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权基于异质结的铁电电容型光电探测器件及其制备和应用是由周久人;许克志;刘宁;韩根全设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于异质结的铁电电容型光电探测器件及其制备和应用在说明书摘要公布了：一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSnGeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSnGeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。

本发明授权基于异质结的铁电电容型光电探测器件及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的底电极1、半导体层、铁电介质层4和顶电极5；所述顶电极5采用透明导电材料；所述半导体层由依次设置的GeSn层2和SiGeSn层3组成； 其中，所述透明导电材料为ITO或PEDOT，所述GeSn层2和SiGeSn层3均采用P型材料，所述GeSn层2位于SiGeSn层3下方，与所述SiGeSn层3形成SiGeSnGeSn异质结，所述顶电极5施加正向电压；或，所述GeSn层2和SiGeSn层3均采用N型材料，所述GeSn层2位于SiGeSn层3上方，与所述SiGeSn层3形成GeSnSiGeSn异质结，所述顶电极5施加负向电压； 光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；所述耗尽层电容为半导体层与所述铁电介质层4的接触界面处的耗尽层产生的电容。

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