飞锃半导体(上海)有限公司三重野文健获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310403143.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由三重野文健;周永昌设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，位于所述外延层表面覆盖所述栅极区域，所述掩膜层的材料为半导体材料；体接触结构，位于所述栅极区域周围的外延层中，所述体接触结构包围所述栅极区域长度方向的边并且部分包围所述栅极区域宽度方向的边，所述体接触结构包围所述栅极区域宽度方向的边的部分在所述栅极区域宽度方向的边的占比大于等于50％小于100％。本申请可以提高具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET中沟槽栅极结构底部边缘的电场控制能力以及工艺效率，提高器件性能和器件可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域； 在所述外延层表面形成覆盖所述栅极区域的掩膜层，所述掩膜层的材料为半导体材料； 以所述掩膜层为掩膜采用离子注入工艺在所述栅极区域周围的外延层中形成体接触结构，所述体接触结构完全包围所述栅极区域长度方向的边并且部分包围所述栅极区域宽度方向的边，所述体接触结构包围所述栅极区域宽度方向的边的部分在所述栅极区域宽度方向的边的占比大于等于50％小于100％； 所述半导体结构为一种具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人飞锃半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励