上海积塔半导体有限公司叶蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种LDMOS器件制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310024795.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种LDMOS器件制作方法是由叶蕾;王峰;胡林辉设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS器件制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LDMOS器件制作方法，在主栅极的旁边漂移区上方形成多个虚拟栅极，并且将虚拟栅极之间的间隔距离设置为小于栅极侧墙宽度的两倍，由此，在形成栅极侧墙时保证栅极侧墙能够填充相邻虚拟栅极之间的间隙，使得虚拟栅极之间的间隙被完全覆盖。然后基于主栅极及虚拟栅极和栅极侧墙进行源漏区离子注入，由此源漏区离子注入完全实现自对准，无需额外的掩膜版，降低了工艺复杂程度，同时降低了源漏极离子注入对CDUOVL的依赖性，提高了器件的性能。
本发明授权一种LDMOS器件制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底； 基于所述衬底形成漂移区、体区及栅极，所述漂移区及所述体区均位于所述衬底中并间隔设置，所述栅极位于所述衬底上，所述栅极包括主栅极和多个虚拟栅极，所述主栅极横跨于所述漂移区与所述体区之间，且所述主栅极的一端延伸至所述漂移区上方，所述主栅极的另一端延伸至所述体区上方，所述虚拟栅极位于所述漂移区上方且与所述主栅极间隔设置，多个所述虚拟栅极彼此间隔设置； 在所述主栅极两侧，以及相邻的所述虚拟栅极之间形成栅极侧墙，相邻所述虚拟栅极之间的间隔距离小于所述栅极侧墙宽度的两倍，所述栅极侧墙完全填充相邻的所述虚拟栅极之间的空隙，所述虚拟栅极与所述栅极侧墙形成连续结构的掩膜版； 基于所述虚拟栅极及所述栅极侧墙对所述漂移区和所述体区进行第一次离子注入并退火，分别在所述漂移区中形成漏极，在所述体区中形成源极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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