武汉新芯集成电路制造有限公司胡俊刚获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利存储控制器及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111565027.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权存储控制器及存储芯片是由胡俊刚;卢中舟;宋思宪设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储控制器及存储芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储控制器及存储芯片，该存储控制器包括存储器、控制器以及控制寄存器组，控制器通过执行转移类指令将指令从存储器中取出，并进行译码和执行所取到的指令以得到执行数据，再通过位操作类指令可以将生成的对应执行数据写入到控制寄存器组，然后控制寄存器组根据执行数据并结合模拟电路和或硬件逻辑电路可以对存储单元进行读擦写操作，在此过程中，控制器可以仅采用两种类型的指令且不需要进行对应的数据运算，不仅减少了指令类型，也减少了控制器的运行负荷，能够提高控制器的运行效率。
本发明授权存储控制器及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种存储控制器，其特征在于，包括： 存储器，用于存储指令集，所述指令集包括转移类指令和位操作类指令； 控制器，与所述存储器电性连接，用于调用、译码及执行所述指令集中的至少一个指令，以生成对应的执行数据；以及 控制寄存器组，与所述控制器电性连接，用于基于所述位操作类指令对所述执行数据进行写入，并根据所述执行数据控制至少一个存储单元的读擦写操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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