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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利CMP的工艺控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166384.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权CMP的工艺控制方法是由黄景山;裴雷洪;张弢设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMP的工艺控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMP的工艺控制方法，包括：步骤一、提供形成有第一膜层的半导体衬底，第一膜层上具有控制研磨厚度的padA和padB并分别具有第一和第二初始厚度值。步骤二、同时使用padA和padB控制研磨后的厚度，包括：步骤21、设置padA和padB的厚度的目标值和上下限值以及权重。步骤22、计算padA和padB的研磨量、研磨量的上下限值。步骤23、根据padA和padB的研磨量、研磨量的上下限值的大小关系进行逻辑判断并根据逻辑判断设置最终研磨量，最终研磨量保证具有较大的权重的padA的最终厚度值位于第一上下限值之间以及保证padB的最终厚度值位于第二上下限值之间或者偏离极限值最小。步骤24、根据最终研磨量控制CMP。本发明能增加对研磨厚度的控制精度，提高产品的稳定性和质量。

本发明授权CMP的工艺控制方法在权利要求书中公布了：1.一种CMP的工艺控制方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有需要进行CMP的第一膜层，所述第一膜层上具有控制研磨厚度的两种衬垫，令两种所述衬垫分别为padA和padB，所述padA和所述padB的大小不同，所述padA具有第一初始厚度值，所述padB具有第二初始厚度值； 步骤二、同时使用所述padA和所述padB控制研磨后的厚度，包括如下分步骤： 步骤21、设置所述padA的厚度的第一目标值、第一上限值和第一下限值； 设置所述padB的厚度的第二目标值、第二上限值和第二下限值； 设置所述padA的第一权重和所述padB的第二权重；所述第一权重大于等于第二权重； 步骤22、计算所述padA的第一研磨量、第一研磨量上限值和第一研磨量下限值，所述第一研磨量为所述第一初始厚度值减去所述第一目标值，所述第一研磨量上限值为所述第一初始厚度值减去所述第一下限值，所述第一研磨量下限值为所述第一初始厚度值减去所述第一上限值； 计算所述padB的第二研磨量、第二研磨量上限值和第二研磨量下限值，所述第二研磨量为所述第二初始厚度值减去所述第二目标值，所述第二研磨量上限值为所述第二初始厚度值减去所述第二下限值，所述第二研磨量下限值为所述第二初始厚度值减去所述第二上限值； 步骤23、根据所述第一研磨量、所述第一研磨量上限值、所述第一研磨量下限值、所述第二研磨量、所述第二研磨量上限值和所述第二研磨量下限值的大小关系进行逻辑判断，根据所述逻辑判断设置最终研磨量，所述最终研磨量保证具有较大的所述第一权重的所述padA的第一最终厚度值位于所述第一上限值和所述第一下限值之间以及保证所述padB的第二最终厚度值位于所述第二上限值和所述第二下限值之间或者保证所述padB的第二最终厚度值偏离所述第二上限值或所述第二下限值的偏差值最小； 步骤24、根据所述最终研磨量控制所述CMP。

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