浙江大学盛况获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211729741.4，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件是由盛况;王珩宇;邵泽伟;任娜设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件，通过提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，得到二氧化硅薄膜层；对多个二氧化硅薄膜进行退火钝化；再在所述二氧化硅薄膜层表面形成高介电材料薄膜层；本发明通过在碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，再进一步对其进行退火处理，提升了二氧化硅薄膜和碳化硅衬底之间的界面与退火含氮气体的接触面积，有效提升了界面处悬挂键的钝化比例，从而抑制界面态缺陷的产生；另外本发明在二氧化硅薄膜层上生长了高介电材料薄膜层，增加了碳化硅衬底层的界面价带差距和导带差距，从而抑制漏电流，降低了能量损耗。
本发明授权一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件在权利要求书中公布了：1.一种栅氧结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，得到不连续的二氧化硅薄膜层； 采用氮氧化气体对多个二氧化硅薄膜进行退火钝化，使得氮氧化气体从二氧化硅薄膜边界进入二氧化硅薄膜和碳化硅衬底的膜层界面处，充分钝化二氧化硅薄膜和碳化硅衬底的界面缺陷，有效提升了界面处悬挂键的钝化比例，从而抑制界面态缺陷的产生；再在所述二氧化硅薄膜层表面形成高介电材料薄膜层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励