京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司苏海东获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请的专利非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116195033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002739.4，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板是由苏海东;李峰;方业周;姚磊;闫雷;王成龙;李凯;朱晓刚;杨桦;候林;高云设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。该非晶硅薄膜晶体管的非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的区域包含有通过离子注入工艺掺杂的离子，且非晶硅半导体层中靠近源极和漏极的表面区域内的离子的浓度大于或等于5×1020atomscc。由此，可以使得非晶硅半导体层与源极和漏极之间均形成较好的欧姆接触，从而可提高非晶硅薄膜晶体管的开态电流。
本发明授权非晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种非晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括： 依次设置在衬底基板上的非晶硅半导体层，源极以及漏极； 其中，所述非晶硅半导体层中靠近所述源极和漏极的区域包含有通过离子注入工艺掺杂的离子，且所述非晶硅半导体层中靠近所述源极和漏极的表面区域内的所述离子的浓度大于或等于5×1020离子立方厘米； 所述非晶硅半导体层中靠近所述源极和漏极的表面区域的一定深度具有所述通过离子注入工艺掺杂的离子，所述离子的浓度随着距离所述表面区域越远先增大后减小； 所述离子的浓度随着距离所述表面区域越远而越大的区域的厚度，小于所述离子的浓度随着距离所述表面区域越远而越小的区域的厚度。
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