夏普半导体创新株式会社河边勇获国家专利权
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龙图腾网获悉夏普半导体创新株式会社申请的专利半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法及记录介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116147770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211431008.4,技术领域涉及:G01J1/44;该发明授权半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法及记录介质是由河边勇;井上高广;清水隆行;滨口弘治;池田徹朗设计研发完成,并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法及记录介质在说明书摘要公布了:对于半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法以及计算机可读取的记录介质而言,具备:光测定器,其为了测定显示面板的周围光照度而配置于具备自发光元件的显示面板的与显示面相反一侧;存储装置,其对与显示面板的同步信号同步而在比自发光元件的接通断开期间短的多个第一测定期间由光测定器测定出的多个第一测定值进行存储;以及计算部,其基于存储于存储装置的第一测定值来计算自发光元件的发光照度,并通过从在比第一测定期间长的第二测定期间由光测定器测定出的第二测定值减去基于发光照度的值来计算周围光照度。
本发明授权半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法及记录介质在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,具备: 光测定器,其配置于具备自发光元件的显示面板的显示面的相反一侧,用于测定所述显示面板的周围光照度; 存储装置,其与所述显示面板的同步信号同步地在比所述自发光元件的接通断开期间短的多个第一测定期间由所述光测定器测定出的多个第一测定值进行存储;以及 计算部,其基于存储于所述存储装置的第一测定值来计算所述自发光元件的发光照度,并通过从在比所述第一测定期间长的第二测定期间由所述光测定器测定出的第二测定值减去基于所述发光照度的值来计算所述周围光照度。
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