联华电子股份有限公司侯泰成获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利一种制作半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111338561.9，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种制作半导体元件的方法是由侯泰成;侯朝钟;林大钧;高苇昕;蔡馥郁;蔡滨祥设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制作半导体元件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于一基底上，然后形成一第一金属间介电层于该MTJ上，去除部分该第一金属间介电层以形成一受损层于MTJ正上方以及一凹槽暴露出受损层，对该受损层进行一紫外光固化制作工艺，之后再进行一平坦化制作工艺去除受损层及部分第一金属间介电层。
本发明授权一种制作半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于基底上； 形成第一金属间介电层于该磁性隧穿结上； 去除部分该第一金属间介电层以形成受损层以及位于该磁性隧穿结上形成凹槽，该凹槽暴露出该受损层；以及 进行紫外光固化制作工艺于该受损层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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