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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低电阻率欧姆接触的Ge n型沟道场效应晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211634685.6，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种低电阻率欧姆接触的Ge n型沟道场效应晶体管结构及其制备方法是由丑录录;玉虓;刘欢;韩根全;刘艳设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电阻率欧姆接触的Ge n型沟道场效应晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种低电阻率欧姆接触的Gen型沟道场效应晶体管结构及其制备方法，其结构包括p型Ge衬底，p型Ge衬底两侧分别设有n型Ge源漏区，n型Ge源漏区上分别设有超薄氧化物层，n型Ge源漏区之间且位于p型Ge衬底顶部中间自下而上依次设置有栅钝化层、栅介质层和栅金属层，其两侧分别设有绝缘侧墙；绝缘侧墙外侧且超薄氧化物层上分别依次设置有源电极粘附层、源电极以及漏电极粘附层、漏电极；绝缘侧墙之间且栅金属层上依次设置栅电极粘附层、栅电极，源漏电极与n型Ge源漏区之间分别通过贯穿超薄氧化物层的导电细丝通道导通连接；本发明通过将超薄氧化层嵌入金属和n‑Ge半导体之间，采用电铸工艺击穿氧化层，从而实现低电阻率欧姆接触。

本发明授权一种低电阻率欧姆接触的Ge n型沟道场效应晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低电阻率欧姆接触的Gen型沟道场效应晶体管结构，包括p型Ge衬底1，其特征在于：所述p型Ge衬底1两侧分别设有n型Ge源区21和n型Ge漏区22，n型Ge源区21上设有第一超薄氧化物层71，n型Ge漏区22上设有第二超薄氧化物层72，n型Ge源区21和n型Ge漏区22之间且位于p型Ge衬底1顶部中间自下而上依次设置有栅钝化层3、栅介质层4和栅金属层5，栅钝化层3、栅介质层4和栅金属层5两侧分别设有第一绝缘侧墙61和第二绝缘侧墙62；第一绝缘侧墙61外侧且第一超薄氧化物层71上依次设置有源电极粘附层81、源电极91；第二绝缘侧墙62外侧且第二超薄氧化物层72上依次设置有漏电极粘附层82、漏电极92；第一绝缘侧墙61和第二绝缘侧墙62之间且栅金属层5上依次设置栅电极粘附层83、栅电极93，所述p型Ge衬底1底部设有衬底电极10，所述第一超薄氧化物层71内贯穿有第一导电细丝通道11，第一导电细丝通道11的一端通过源电极粘附层81与源电极91电连接，第一导电细丝通道11的另一端与n型Ge源区21电连接；第二超薄氧化物层72内贯穿有第二导电细丝通道12，第二导电细丝通道12的一端通过漏电极粘附层82与漏电极92电连接，第二导电细丝通道12的另一端与n型Ge漏区22电连接。

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