山东浪潮华光光电子股份有限公司张义获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110720088.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法是由张义;王成新;王建立;李毓锋设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法。包括步骤如下：1采用草酸溶液在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上进行腐蚀，形成均匀的纳米空洞；2通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；3通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，再将GaN厚膜键合到硅片上，激光剥离衬底，得到GaN厚膜。本发明在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上通过电化学腐蚀出纳米尺寸海绵枝杈状空洞，在界面处形成晶格间的弱连接，有效降低了激光剥离时激光阈值能量，使得激光剥离效率显著提高50％，同时剥离下来的GaN厚膜韧性好，品质高，不容易碎裂，合格率显著提高。
本发明授权一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法，其特征在于，包括步骤如下： 1采用草酸溶液在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上进行腐蚀，形成均匀的纳米空洞； 其中，所述纳米空洞形状为海绵枝杈状，均匀分布在蓝宝石基板的表面； 2通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度； 3通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，再将GaN厚膜键合到硅片上，激光剥离衬底，得到GaN厚膜； 其中，所述键合所使用的材料为环氧树脂或石墨胶，键合压力0.01MP-0.02MP，键合温度50-200℃，键合材料的厚度为2-10μm；键合前GaN厚膜的厚度为500-700μm，剥离后所得GaN厚膜的厚度为495-695μm。
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