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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利一种半导体器件及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111267904.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及集成电路是由胡飞;唐龙谷;高云斌;高博设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及集成电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及集成电路，该半导体器件包括：N型的半导体衬底，漂移层，半导体层，位于半导体层中的第一沟槽，位于第一沟槽中的栅极，位于半导体层中的P阱、源区和N型的第二半导体区，源极和漏极。漂移层包括并列交替重复设置的N型柱区和P型柱区。该半导体器件中，在栅极下方还设置电极，在第一沟槽底端设置P型的第一半导体区，第一半导体区与电极和位于栅极下方的P型柱区接触，电极与源极电连接。从而位于栅极下方的P型柱区可以通过电极连接到源极，且在电极与第一半导体区之间实现良好电接触，从而实现接地功能。

本发明授权一种半导体器件及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N型的半导体衬底； 漂移层，所述漂移层设置在所述半导体衬底上，所述漂移层包括并列交替重复设置的N型柱区和P型柱区； 半导体层，所述半导体层设置于所述漂移层上； 第一沟槽，所述第一沟槽设置于所述半导体层内，且设置在与所述P型柱区对应的区域； 栅极，所述栅极隔着栅绝缘膜而设置在所述第一沟槽内； 电极，所述电极设置于所述第一沟槽内且位于所述栅极与所述P型柱区之间，且所述电极与所述栅极之间隔着所述栅绝缘膜； 第一半导体区，所述第一半导体区为P型半导体区，所述第一半导体区设置在所述半导体层内，且位于所述电极与所述P型柱区之间，且与所述电极和所述P型柱区接触，并且所述第一半导体区的掺杂浓度大于所述P型柱区的掺杂浓度； P阱，所述P阱设置于所述半导体层内且位于所述第一沟槽的侧壁； 源区，所述源区设置于所述半导体层内，且位于所述P阱上； 第二半导体区，所述第二半导体区为N型半导体区，所述第二半导体区设置于所述半导体层内，且位于所述P阱与所述N型柱区之间； 源极，所述源极设置于所述半导体层上，且所述源极与所述源区接触、与所述电极电连接； 漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述漂移层的一侧。

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