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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利用于动态地评估半导体装置的退化的系统、方法和非暂时性计算机可读媒体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116034280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280004805.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于动态地评估半导体装置的退化的系统、方法和非暂时性计算机可读媒体是由林逸铭;盛健健设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于动态地评估半导体装置的退化的系统、方法和非暂时性计算机可读媒体在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于动态地评估半导体装置的退化的方法。所述方法包括：确定所述半导体装置的阈值电压；基于所确定的阈值电压计算泄漏电流限值；测量所述半导体装置的泄漏电流；以及将测得的泄漏电流与计算出的泄漏电流限值进行比较以评估所述半导体装置的退化。通过将不同幅度的亚阈值驱动脉冲序列插入施加到所述装置的驱动信号来确定所述阈值电压Vth，使得所述装置在所述亚阈值驱动脉冲期间在亚阈值区中操作。可在监测所述泄漏电流时考虑动态阈值电压和变化的工作温度。可在不影响正常操作的情况下获得更好的保护和对系统故障的更有效预防。

本发明授权用于动态地评估半导体装置的退化的系统、方法和非暂时性计算机可读媒体在权利要求书中公布了：1.一种用于动态地评估基于氮化镓GaN的半导体装置的退化的系统，其特征在于，包括： 驱动器电路，其配置成将驱动信号施加到所述装置； 控制器，其配置成控制所述驱动器电路将不同幅度的亚阈值驱动脉冲序列插入所述驱动信号，使得所述装置在所述亚阈值驱动脉冲期间在亚阈值区中操作； 第一电流感测电路，其配置成针对所述亚阈值驱动脉冲中的每一个测量所述装置的漏极-源极电流Ids，以获得对应于所述亚阈值驱动脉冲序列的测得漏极-源极电流序列； 第二电流感测电路，其配置成测量所述装置的泄漏电流； 其中所述控制器进一步配置成： 针对所述亚阈值驱动脉冲中的每一个测量所述装置的栅极-源极电压Vgs，以获得对应于所述亚阈值驱动脉冲序列的测得栅极-源极电压序列； 从所述第一电流感测电路接收所述测得漏极-源极电流序列； 基于所述测得栅极-源极电压序列和所述测得漏极-源极电流序列确定所述装置的阈值电压Vth； 基于所确定的阈值电压计算泄漏电流限值； 从所述第二电流感测电路接收测得的泄漏电流；以及 将所述测得的泄漏电流与计算出的泄漏电流限值进行比较以评估所述装置的退化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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