天津三安光电有限公司张东炎获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利一种半导体发光元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116014057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310088293.2，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种半导体发光元件及其制作方法是由张东炎;刘文;李慧文;金超;汤国梁;潘冠甫;王笃祥设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。
本发明授权一种半导体发光元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，包含： 一基板； 半导体外延叠层，位于所述基板之上，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层； 所述第一导电型半导体层远离基板的一侧为出光面； 侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和活性层的边缘； 第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域； 所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构； 所述第一导电型半导体层远离基板的上表面具有粗化结构； 一反射层，位于所述半导体外延叠层和基板之间； 第二台面，位于所述半导体发光元件的边缘，所述第二台面位于所述反射层之上； 定义所述第一台面边缘至所述侧壁的距离为第一台面的宽度D1，所述D1的范围为0.5~10μm。
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