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龙图腾网获悉天津津航技术物理研究所申请的专利对准方法、马赛克式芯片结构/滤波器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111207548.X，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权对准方法、马赛克式芯片结构/滤波器的制备方法是由潘建旋;刘舒扬;赵安娜;王天鹤;张晨;张云昊;周志远;姜洪妍;王才喜设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本对准方法、马赛克式芯片结构/滤波器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种对准方法、马赛克式芯片结构滤波器的制备方法，其中，对准方法包括当前光刻对准工艺前，若像素感光单元的晶圆正面的对准图形标记被遮盖，则采用干法刻蚀的方法显露出被遮盖的对准图形标记；采用正面对准的方法进行光刻对准工艺。马赛克式芯片结构滤波器的制备方法中均采用该对准方法。本发明方案大幅度提高了对准精度。在当前常用的光刻对准设备条件下，采用本发明方法能够做到对准误差小于1微米，在单片式马赛克光谱成像芯片的制备过程中，使得薄膜滤波结构与成像芯片光敏元由于对准误差引起的位置偏差，可以控制在成像芯片光敏元尺寸的10％以内。

本发明授权对准方法、马赛克式芯片结构/滤波器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种马赛克式芯片结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在像素感光单元的晶圆正面整体加工下反射镜； 在所述下反射镜上整体沉积通光层的原材料，得到的沉积结构的厚度为通光层最高台阶厚度； 对所述沉积结构进行多次包括光刻、刻蚀以获取呈马赛克式分布的通光层，包括： 进行第一次光刻、刻蚀，包括： 1采用干法刻蚀的方法显露出晶圆正面被遮盖的对准图形标记； 2采用正面对准的方法进行光刻对准工艺； 3刻蚀； 进行第二次光刻、刻蚀，包括： 判断对准图形标记是否被遮盖，若是，则按照步骤1~3方法，完成第二次光刻、刻蚀； 按照第二次光刻、刻蚀方法依次完成剩余次数的光刻、刻蚀，得到所需通光层； 在所述通光层上加工上反射镜； 所述马赛克式芯片结构的制备方法还包括先在像素感光单元的晶圆正面整体一体式沉积第一匹配层，再在所述第一匹配层上一体式沉积所述下反射镜，所述第一匹配层过渡窄带滤光膜和像素感光单元之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率，所述上反射镜、通光层和下反射镜构成所述窄带滤光膜； 所述马赛克式芯片结构的制备方法还包括在所述上反射镜上一体式沉积第二匹配层，所述第二匹配层用于提高马赛克式芯片结构的中心波长透过率； 所述马赛克式芯片结构的制备方法还包括先在像素感光单元的晶圆正面整体一体式沉积第三匹配层，再在所述第三匹配层上一体式沉积所述下反射镜；以及还在所述上反射镜上一体式沉积过渡层，在所述过渡层上一体式沉积第一截止滤波膜，在所述第一截止滤波膜上制备第二截止滤波膜，在所述第二截止滤波膜上制备第三截止滤波膜，其中： 所述第一截止滤波膜、第二截止滤波膜和第三截止滤波膜分别对应截止第一干扰波段、第二干扰波段和第三干扰波段，所述第一干扰波段、第二干扰波段和第三干扰波段均不同； 所述过渡层用于过渡窄带滤光膜和所述截止滤波膜两个膜系，所述第三匹配层用于过渡所述感光单元与所述窄带滤光膜、所述过渡层以及所述截止滤波膜之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率，所述上反射镜、通光层和下反射镜构成所述窄带滤光膜。

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