上海积塔半导体有限公司任杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211412040.8，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由任杰;李乐;王峰;黄永彬设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底内形成有多个至少部分外露于基底的浅沟槽隔离结构，相邻设置的两个浅沟槽隔离结构之间的基底的上表面形成有初始衬垫氧化层；对初始衬垫氧化层进行减薄处理，以得到衬垫氧化层；对基底进行热氧化处理，以在基底中形成初始牺牲层，初始牺牲层形成于衬垫氧化层的下表面；去除衬垫氧化层，并对初始牺牲层进行减薄处理，以得到牺牲层；对基底进行热氧化处理，以在基底中形成栅氧化层，栅氧化层形成于牺牲层的下表面；去除牺牲层。本申请的半导体结构的制备方法制备半导体结构不会产生凹坑，可以避免凹坑使得加压时器件提前开启，帮助提升器件的电性能。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内形成有多个至少部分外露于所述基底的浅沟槽隔离结构，相邻设置的两个所述浅沟槽隔离结构之间的所述基底的上表面形成有初始衬垫氧化层；所述初始衬垫氧化层的厚度为100Å~120Å； 对所述初始衬垫氧化层进行减薄处理，以得到衬垫氧化层；所述衬垫氧化层的厚度为4Å~20Å； 对所述基底进行热氧化处理，以在所述基底中形成初始牺牲层，所述初始牺牲层形成于所述衬垫氧化层的下表面；所述初始牺牲层的厚度为100Å~120Å； 去除所述衬垫氧化层，并对所述初始牺牲层进行减薄处理，以得到牺牲层；所述牺牲层的厚度为4Å~20Å； 对所述基底进行热氧化处理，以在所述基底中形成栅氧化层，所述栅氧化层形成于所述牺牲层的下表面； 去除所述牺牲层。
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