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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211684399.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由三重野文健;周永昌设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供SiC衬底，且所述SiC衬底经过第一快速热退火处理；在所述SiC衬底上形成SiC外延层；对所述SiC衬底和所述SiC外延层进行第二快速热退火处理，进行所述第一快速热退火处理和所述第二快速热退火时，在第一时间升温至第一温度，然后使所述SiC衬底和所述SiC外延层的温度降温至第二温度，重复对所述SiC衬底和所述SiC外延层进行先升温后降温的操作若干次；形成阱区、源区以及位于所述源区、所述阱区和所述SiC外延层中的栅极沟槽，在形成所述阱区后、所述源区后及所述栅极沟槽后均进行第三快速热退火。本申请技术方案的半导体结构的形成方法能够改善SiCMOSFET的双极性退化问题。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供SiC衬底，且所述SiC衬底经过第一快速热退火处理，进行所述第一快速热退火处理处理时，在第一时间升温至第一温度，然后使所述SiC衬底的温度降温至第二温度，将所述SiC衬底的基底面位错转化成贯通螺旋位错； 在所述SiC衬底上形成SiC外延层； 对所述SiC衬底和所述SiC外延层进行第二快速热退火处理，进行所述第二快速热退火处理时，在第一时间升温至第一温度，然后使所述SiC衬底和所述SiC外延层的温度降温至第二温度，重复对所述SiC衬底和所述SiC外延层进行先升温后降温的操作若干次，提高所述SiC衬底和所述SiC外延层的基底面位错转化成贯通螺旋位错的转化率； 形成阱区、源区以及位于所述源区、所述阱区和所述SiC外延层中的栅极沟槽，在形成所述阱区后、所述源区后及所述栅极沟槽后均进行第三快速热退火处理。

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