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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利具有静电释放防护结构的器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111052216.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有静电释放防护结构的器件及其制造方法是由陈晓亮;陈天;钱忠健设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有静电释放防护结构的器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有静电释放防护结构的器件及其制造方法，所述器件包括器件区和ESD区，器件区包括：衬底；绝缘层，设于衬底上；器件有源区层，设于绝缘层上；ESD区包括：半导体层，与衬底连接；阱区，设于半导体层中；第一掺杂区，设于阱区表面；第二掺杂区，设于阱区表面；栅极，设于第一掺杂区和第二掺杂区之间的阱区上方；其中，栅极为GGNMOS的栅极，第一掺杂区为GGNMOS的源极，第二掺杂区为GGNMOS的漏极，半导体层为三极管的发射极，第二掺杂区为三极管的集电极，第二导电类型阱区为三极管的基极。本发明能够避免因散热性差导致ESD防护结构热击穿失效。ESD区具有两条电流泄放路径，提升了电流泄放效率，ESD防护能力高。

本发明授权具有静电释放防护结构的器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有静电释放防护结构的器件，其特征在于，包括器件区和ESD区，所述器件区包括： 衬底，具有第一导电类型； 绝缘层，设于所述衬底上； 器件有源区层，设于所述绝缘层上； 所述ESD区包括： 半导体层，与所述衬底连接，具有第一导电类型； 第二导电类型阱区，设于所述半导体层中； 第一掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区表面； 第二掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区表面； 栅极，设于所述第二导电类型阱区位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的结构的上方； 其中，所述栅极为GGNMOS的栅极，所述第一掺杂区作为所述GGNMOS的源极区，所述第二掺杂区作为所述GGNMOS的漏极区，所述半导体层作为三极管的发射极，所述第二掺杂区作为所述三极管的集电极，所述第二导电类型阱区作为所述三极管的基极，所述衬底的一部分位于所述器件区，另一部分位于所述ESD区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

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