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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种干扰抑制电路及数字隔离电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211406728.5，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种干扰抑制电路及数字隔离电路是由吴勇;吴佳;张艺蒙;徐嘉雯;何滇设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种干扰抑制电路及数字隔离电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种干扰抑制电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制电路设置于数字隔离电路的接收端，并连接于隔离器的输出端和前置放大器之间；干扰抑制电路包括：一对NMOS管和一对PMOS管，干扰抑制电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管关闭而一对PMOS管开启，以降低瞬态脉冲的第一状态，以及当隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭，以提高瞬态脉冲的第二状态，以及隔离器的输出信号即为共模电平时，一对NMOS管和一对PMOS管均关闭的第三状态。本发明中的电路，能够有效抑制共模瞬态干扰。

本发明授权一种干扰抑制电路及数字隔离电路在权利要求书中公布了：1.一种干扰抑制电路，其特征在于，设置于数字隔离电路的接收端，并连接于隔离器的输出端和前置放大器之间；所述干扰抑制电路包括： 一对NMOS管和一对PMOS管，所述干扰抑制电路具有当所述隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，所述一对NMOS管关闭而所述一对PMOS管开启，以降低所述瞬态脉冲的第一状态，以及当所述隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，所述一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭，以提高所述瞬态脉冲的第二状态，以及所述隔离器的输出信号即为所述共模电平时，所述一对NMOS管和所述一对PMOS管均关闭的第三状态； 所述一对NMOS管包括NMOS管M1和NMOS管M3，所述一对PMOS管包括PMOS管M2和PMOS管M4； 所述NMOS管M1和所述PMOS管M2的栅极均连接至参考电压，且所述NMOS管M1的漏极连接至驱动电源的高电平输出端，源极连接至所述PMOS管M2的源极并接入正相输入端、接出正相输出端，所述PMOS管M2的的漏极接地； 所述NMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极也均连接至所述参考电压，且所述NMOS管M3的漏极连接至驱动电源的高电平输出端，源极连接至所述PMOS管M4的源极并接入反相输入端、接出反相输出端，所述PMOS管M4的漏极接地； 所述NMOS管M1的源极和所述正相输入端之间还设置有第一电容，所述NMOS管M3的源极和所述反相输入端之间还设置有第二电容。

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