东北大学赵思凯获国家专利权
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龙图腾网获悉东北大学申请的专利一种SnO2量子点-硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115684289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211144629.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种SnO2量子点-硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用是由赵思凯;白金州;李国栋;马瑞雪;唐朝;崔宝玉;魏德洲;沈岩柏设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SnO2量子点-硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用，属于气体传感器领域。一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料，所述SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料的微观形貌为SnO2量子点均匀生长在硫化物表面，其中，SnO2量子点的晶体结构为四方相晶体结构；所述硫化物为由硫化物纳米片组装而成的分级多孔花状结构，所述硫化物为MoS2或SnS2，晶体结构为六方相晶体结构。本发明的SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料通过SnO2量子点的高活性，硫化物表面丰富的成核位点和高的载流子迁移速率，以及二者之间形成异质结构的协同效应，解决了室温条件下NH3传感器灵敏度低，响应恢复速率慢的问题。
本发明授权一种SnO2量子点-硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用在权利要求书中公布了：1.一种SnO2量子点-硫化物复合气敏材料的制备方法，其特征在于：将制备SnO2量子点所需的原料和SnS2纳米片加入到反应容器加热，或者将SnO2量子点和SnS2纳米片加入到反应容器中超声反应后机械搅拌一段时间，洗涤，分离，得到SnO2量子点-硫化物复合气敏材料，所述制备SnO2量子点所需的原料为SnCl4·5H2O与油酸，其中SnCl4·5H2O与油酸的质量比为1:30。
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