中央硝子株式会社奥村雄三获国家专利权
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龙图腾网获悉中央硝子株式会社申请的专利半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036504.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物是由奥村雄三;福井由季;盐田彩织;照井贵阳;公文创一设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物在说明书摘要公布了：本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成图案的图案未形成区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及图案未形成区域，在表面处理工序后的图案未形成区域的表面上的、对2‑丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和或对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。
本发明授权半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物在权利要求书中公布了：1.一种处理方法，其为对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成所述图案的图案未形成区域的半导体基板的所述主表面进行处理的处理方法，所述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，其包括如下工序： 表面处理工序，使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触所述半导体基板的所述主表面的所述图案形成区域及所述图案未形成区域，所述表面处理工序在所述半导体基板的所述主表面的整体形成表面处理剂层，以及 评价工序，判断在所述表面处理工序后的所述图案未形成区域的表面上的 以下述步骤求出的对2-丙醇的IPA接触角在室温25度下是否为2°以上、和或 以下述步骤求出的对纯水的水接触角在室温25度下是否为50°以上， 步骤 在将所述半导体基板静置于水平台的状态下，对于形成于所述图案未形成区域的所述表面处理剂层的表面，在室温25度下滴加1μL的2-丙醇或纯水的液滴，之后，将静置5秒后的接触角的值分别作为IPA接触角、水接触角。
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