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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种快速导通的高压驱动半桥电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348845.0，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种快速导通的高压驱动半桥电路是由韩方;杨晓萍;王俊峰;郑东飞;杨昊泽;贺继鹏;陈从侨设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速导通的高压驱动半桥电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速导通的高压驱动半桥电路，包括NMOS管驱动电路、PMOS管驱动电路和功率半桥驱动电路；PMOS管驱动电路为VIN输入到NMOS管T3栅极，源极接地，漏极接J型场效应管T4源极，漏极接V2，栅极分别与NMOS管T5、PMOS管T6栅极相连，由二极管Z1接V2；NMOS管T5与PMOS管T6源极接PMOS管T7栅极，NMOS管T5漏极和PMOS管T7源极接V2，PMOS管T6漏极和NMOS管T8源极接地；PMOS管T7与NMOS管T8漏极相连，PMOS管T7漏极为输出。通过常规元器件驱动PMOS管，无需计算电阻的功耗更改阻值，省略专用的带电荷泵自举的栅极驱动，简化了电路结构。

本发明授权一种快速导通的高压驱动半桥电路在权利要求书中公布了：1.一种快速导通的高压驱动半桥电路，其特征在于，包括NMOS管驱动电路、PMOS管驱动电路和功率半桥驱动电路； 所述NMOS管驱动电路包括PMOS管T1、NMOS管T2和电阻R1；所述PMOS管驱动电路包括NMOS管T3、NMOS管T5、PMOS管T6、J型场效应管T4、二极管Z1和电阻R2；所述功率半桥电路包括PMOS管T7和NMOS管T8； VIN分别输入到PMOS管T1、NMOS管T2和NMOS管T3的栅极，PMOS管T1的漏极通过电阻R1与NMOS管T2的漏极连接，PMOS管T1的源极接电源V1，NMOS管T3的源极通过电阻R2接地，NMOS管T3的漏极连接J型场效应管T4的源极，J型场效应管T4的源极与栅极相连接，J型场效应管T4的漏极连接至电源V2，J型场效应管T4的栅极分别与NMOS管T5、PMOS管T6的栅极相连，并经由二极管Z1的阳极连接到电源V2；NMOS管T5的源极与PMOS管T6的源极相接后连接PMOS管T7的栅极，NMOS管T5漏极和PMOS管T7的源极连接到V2，PMOS管T1的漏极输入到NMOS管T8的栅极，NMOS管T2源极、PMOS管T6漏极和NMOS管T8的源极均连接到地；PMOS管T7的漏极与NMOS管T8的漏极相连，T7的漏极为高压驱动半桥电路的输出VO。

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