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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种2.5D Chiplet异构集成芯片的热场重构方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115541053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211163522.4，技术领域涉及：G01K13/00；该发明授权一种2.5D Chiplet异构集成芯片的热场重构方法是由姬学超;万永康;虞勇坚;谢维坤设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种2.5D Chiplet异构集成芯片的热场重构方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种2.5DChiplet异构集成芯片的热场重构方法，属于异构集成芯片温度监测领域。首先分析2.5DChiplet异构集成芯片结构，获取尺寸、材料、位置分布等信息；其次建立高功率裸芯的局部有限元模型，得到高功率裸芯的仿真温度分布；再次布置温度传感器并获取温度监测值；接着对所获取的仿真温度值和温度监测值进行数据处理；然后建立热场数据矩阵；最后根据矩阵填充算法得到2.5DChiplet异构集成芯片热场重构分布。本发明能在热场重构过程中使用较少数量的温度传感器，解决了2.5DChiplet异构集成芯片直接通过温度传感器实现热场重构难度较大的问题，在2.5DChiplet异构集成芯片热分析领域有良好的实用性。

本发明授权一种2.5D Chiplet异构集成芯片的热场重构方法在权利要求书中公布了：1.一种2.5DChiplet异构集成芯片的热场重构方法，其特征在于，包括： 分析2.5DChiplet异构集成芯片结构； 建立高功率裸芯的局部有限元模型； 布置温度传感器并获取温度监测值； 处理温度数据； 建立热场数据矩阵； 重构2.5DChiplet异构集成芯片热场； 布置温度传感器包括： 为每颗高功率裸芯分配两个温度传感器，分别布置在高功率裸芯上、以及距离高功率裸芯5mm以内的转接板上； 除高功率裸芯外的其它裸芯不布置温度传感器，在转接板空余位置上布置三颗温度传感器，并且这三颗温度传感器与高功率裸芯的距离不少于5mm； 采集并处理温度数据包括： 在2.5DChiplet异构集成芯片正常工作状态下，获取高功率裸芯对应温度传感器的温度监测值； 获取仿真得到的高功率裸芯模型中与对应温度传感器相同位置的仿真温度值； 对比同一个高功率裸芯的温度监测值和仿真温度值，若则进行下一步；否则，对仿真模型进行优化。

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