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龙图腾网获悉山东科技大学申请的专利一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211226217.5，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其应用是由赵媛媛;王秋瑞;高磊;李云坤;李林德;常奕洁;唐群委设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其应用，在导电薄膜基底上旋涂SnO2量子点溶液制备电子传输层，经预热后旋涂含NH4Cl的PbBr2溶液，退火形成PbBr2多孔薄膜，之后再多次旋涂CsBr溶液制备CsPbBr3钙钛矿薄膜，在CsPbBr3薄膜表面刮涂碳电极，制得太阳能电池。本发明通过PbBr2溶液中加入NH4Cl，退火时氯化铵分解产生的气体调控PbBr2薄膜中的孔隙率，使反应更加彻底，且有利于钙钛矿大晶粒的生长。同时，氯离子可钝化卤素空位缺陷。本发明的太阳能电池稳定性好、电池效率高，对于促进钙钛矿太阳能电池产业化进程具有重要的实用价值和经济价值。

本发明授权一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3薄膜，其特征在于，所述NH4Cl添加剂能够使氯离子与钙钛矿中的卤素空位缺陷结合，降低钙钛矿薄膜的缺陷态密度，钝化了其中的缺陷，加速了电子传输过程，降低了空间电荷积累，减少了载流子的复合反应；所述全无机CsPbBr3薄膜的缺陷密度为1.231×1016cm-3，粗糙度为0.797， 所述全无机CsPbBr3薄膜具体通过以下制备方法制得： 1将SnCl2和CH4N2S溶解在去离子水中，搅拌、离心，除沉淀，过滤得SnO2量子点溶液；所述SnCl2和CH4N2S的摩尔比为0.8~1.2:1，SnCl2的摩尔浓度为0.1molL~0.2molL； 2将步骤1中所述SnO2量子点溶液和FTO导电玻璃预热；将预热后的SnO2量子点溶液旋涂在预热后的FTO导电玻璃上得到FTOSnO2基底； 3将步骤2中所述FTOSnO2基底浸泡在TiCl4水溶液中，洗涤后，退火，得到FTOSnO2TiOxCl4-2x基底；TiCl4水溶液的温度保持在70℃~80℃，浸泡时间为15~30分钟，退火温度为190℃~210℃，退火时间为15~30分钟； 4向PbBr2溶液中加入NH4Cl，得到含NH4Cl的PbBr2溶液，将步骤3中所述的FTOSnO2TiOxCl4-2x基底和含NH4Cl的PbBr2溶液预热，将预热后的含NH4Cl的PbBr2溶液旋涂在FTOSnO2TiOxCl4-2x基底上，退火，得PbBr2薄膜； 所述PbBr2溶液中NH4Cl的浓度为0.025molL； 5在步骤4中所述的PbBr2薄膜上旋涂CsBr溶液，然后退火，制得基于NH4Cl添加剂调控的全无机CsPbBr3薄膜。

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