无锡韦感半导体有限公司蔡春华获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种MEMS压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115507980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138074.2，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种MEMS压力传感器及其制备方法是由蔡春华;万蔡辛;赵成龙;巩啸风;何政达;陈骁设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，MEMS压力传感器，包括：衬底；红外光源，位于所述衬底上；热电堆结构，位于所述衬底上，其与所述红外光源相互分离；键合层，位于所述介质层上，围绕所述红外光源和所述热电堆结构；反射层，位于所述键合层远离所述介质层的表面；以及压力感应层，位于所述反射层远离所述键合层的表面，用于感受压力并且受力时带动所述反射层发生形变；其中，所述键合层的内表面以及所述反射层与所述介质层相对的表面构成反射面，所述红外光源发的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。
本发明授权一种MEMS压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压力传感器，包括： 衬底； 红外光源，位于所述衬底上； 热电堆结构，位于所述衬底上，其与所述红外光源相互分离； 键合层，位于所述衬底上，围绕所述红外光源和所述热电堆结构； 反射层，位于所述键合层远离所述衬底的表面；以及 压力感应层，位于所述反射层远离所述键合层的表面，用于感受压力并且受力时带动所述反射层发生形变； 其中，所述键合层的内表面以及所述反射层与所述衬底相对的表面构成反射面，所述红外光源发的红外光经所述反射层反射至所述热电堆结构。
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