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龙图腾网获悉无锡中微高科电子有限公司申请的专利一种高导热晶圆扇出封装结构与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211273453.2，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种高导热晶圆扇出封装结构与方法是由杨昆;李轶楠;梁梦楠;张国杰设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高导热晶圆扇出封装结构与方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种高导热晶圆扇出封装结构与方法，包括塑封层、导热环、绝缘层、再布线层、导热连接桥和芯片，所述塑封层包覆所述芯片，所述导热环围绕所述芯片设置，所述导热环上下贯穿所述塑封层，所述导热连接桥的一端与所述导热环的底面连接，另一端与所述芯片的底面连接，所述导热连接桥设置在所述绝缘层内，所述绝缘层与再布线层设置在所述塑封层的底面。本发明增加导热环、导热金属桥，所述导热环通过导热金属桥直接与芯片相接触，可形成良好的快速散热通道，可适用于高密度、大功率、多芯片集成情况；本发明使用的导热环的金属环形结构可抗弯折，提供一定的强度支撑，对芯片提供支撑保护效果。

本发明授权一种高导热晶圆扇出封装结构与方法在权利要求书中公布了：1.一种高导热的晶圆扇出封装方法，用于制造高导热的晶圆扇出封装结构，其特征在于， 所述晶圆扇出封装结构包括：塑封层203、导热环202、绝缘层205、再布线层206、导热连接桥204和芯片201，所述塑封层203包覆所述芯片201，所述导热环202围绕所述芯片201设置，所述导热环202上下贯穿所述塑封层203，所述导热连接桥204的一端与所述导热环202的底面连接，另一端与所述芯片201的底面连接，所述导热连接桥204和再布线层206均设置在所述绝缘层205内，所述绝缘层205设置在所述塑封层203的底面，所述再布线层206与所述芯片201的引脚连接； 所述方法包括： S10：将芯片201和导热环202固定在载板101的表面上，所述芯片201置于导热环202的内部； S20：将固定好的芯片201和导热环202进行塑封，形成塑封层203，去除所述载板101； S30：在塑封层203去除所述载板101的一面加工出用于连接芯片201和导热环202的导热连接桥204； S40：在导热连接桥204上加工出绝缘层205； S50：在绝缘层205中通过光刻或电镀工艺加工出再布线层206； S60：在再布线层206的尾端通过植球或回流焊加工出锡球凸点207。

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