中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王洪岩获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利pFET结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110656633.8，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权pFET结构及其形成方法是由王洪岩;汤汉杰设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本pFET结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种pFET结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面依次形成有特定厚度的第一介质层和第二介质层，所述第一介质、所述第二介质层及所述半导体衬底中形成有沟道材料层，且所述沟道材料层的顶面高于所述第二介质层的表面；去除所述第二介质层，其中部分所述沟道材料层被氧化；去除所述沟道材料层上被氧化的部分，并消耗部分所述第一介质层；去除剩余的第一介质层和部分所述沟道材料层，使所述沟道材料层的顶面与所述半导体衬底的表面共面，形成沟道层。本申请技术方案的形成方法可以大幅度提高沟道层的厚度均一性。
本发明授权pFET结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种pFET结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面依次形成有特定厚度的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层、所述第二介质层及所述半导体衬底中形成有沟道材料层，且所述沟道材料层的顶面高于所述第二介质层的表面； 去除所述第二介质层，其中部分所述沟道材料层被氧化； 去除所述沟道材料层上被氧化的部分，并消耗部分所述第一介质层； 去除剩余的第一介质层和部分所述沟道材料层，使所述沟道材料层的顶面与所述半导体衬底的表面共面，形成沟道层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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