索尼半导体解决方案公司柳田刚志获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光检测器件和电子装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115472639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211225689.9,技术领域涉及:H04N25/57;该发明授权光检测器件和电子装置是由柳田刚志;名取太知;高桥裕嗣;丸山俊介;丸山康设计研发完成,并于2016-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本光检测器件和电子装置在说明书摘要公布了:提出一种光检测器件以及包括有光检测器件的电子装置。公开的成像器件能够包括:第一像素,所述第一像素包括:第一光电转换器和第二光电转换器,所述第一光电转换器和所述第二光电转换器在横截面图中布置在基板中;第一遮光膜,所述第一遮光膜布置在所述第一光电转换器上方;和第二遮光膜,所述第二遮光膜布置在所述第二光电转换器上方,其中,在所述横截面图中,所述第一光电转换器的第一区域大于所述第二光电转换器的第二区域,且其中,在所述横截面图中,包含有所述第一遮光膜的第一开口区域大于包含有所述第二遮光膜的第二开口区域。
本发明授权光检测器件和电子装置在权利要求书中公布了:1.一种光检测器件,其包括: 第一像素,所述第一像素包括: 第一光电转换器和第二光电转换器,所述第一光电转换器和所述第二光电转换器在横截面图中布置在基板中; 遮光膜,所述遮光膜布置在所述第二光电转换器上方,其中,在所述横截面图中,所述遮光膜在所述第二光电转换器的上方从所述第二光电转换器的一端延伸到所述第二光电转换器的另一端, 其中,在所述横截面图中,所述第一光电转换器的第一区域大于所述第二光电转换器的第二区域, 其中,在2×2的四个所述第二光电转换器上方的所述遮光膜具有形成在彼此不同方向上的狭缝。
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