密歇根大学董事会米泽田获国家专利权
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龙图腾网获悉密歇根大学董事会申请的专利半导体生长-退火循环获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031260.3，技术领域涉及：C23C16/06；该发明授权半导体生长-退火循环是由米泽田;D·拉勒延;王平设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体生长-退火循环在说明书摘要公布了：制造半导体器件的方法包括提供衬底，实施生长工序以形成由衬底支撑的半导体层，进行半导体层的退火，其中在比生长工序更高的温度下执行退火，和重复生长工序和退火。在半导体层的分解温度或大于半导体层的分解温度下执行退火。
本发明授权半导体生长-退火循环在权利要求书中公布了：1.制造半导体器件的方法，该方法包括： 提供衬底； 实施生长工序以在所述衬底上形成半导体层； 进行所述半导体层的退火，其中在比所述生长工序更高的温度下执行所述退火；和 重复所述生长工序和所述退火； 其中在所述半导体层发生分解的温度下执行所述退火， 其中实施所述生长工序包括在完成所述生长工序之后且在进行所述退火之前在所述半导体层上沉积盖层，所述盖层被配置为防止所述半导体层在退火期间的分解；并且 其中进行所述退火包括在执行所述退火之后去除所述盖层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人密歇根大学董事会，其通讯地址为：美国密歇根；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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