上海华虹宏力半导体制造有限公司王乐平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种提高MTP编程能力的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210998952.1，技术领域涉及：H10B20/20；该发明授权一种提高MTP编程能力的工艺方法是由王乐平;隋建国;郑书红;尤鸿朴;康轶瑶设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高MTP编程能力的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高MTP编程能力的工艺方法，包括：提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在衬底表面形成栅极；采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除第一掩膜层；在所述栅极的两侧形成侧墙；采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。本发明的工艺方法仅采用了两次掩膜，进行两次光刻，使工艺流程相对简化，成本降低，并且在LDD斜打注入时对MTP单元区域进行了掩膜保护，避免LDD斜打注入对MTP单元编程能力的影响，保证MTP单元的编程能力在较高水平。
本发明授权一种提高MTP编程能力的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法至少包括： 1提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在所述衬底表面形成栅极； 2采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对所述MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除所述第一掩膜层； 3在所述栅极的两侧形成侧墙； 4采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对所述NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区；所述LDD斜打注入区一部分延伸到所述侧墙下面的所述衬底中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励