意法半导体(图尔)公司J-M·西莫内获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(图尔)公司申请的专利单向瞬态电压抑制器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210486147.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权单向瞬态电压抑制器件是由J-M·西莫内;D·儒弗;F·拉努瓦设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本单向瞬态电压抑制器件在说明书摘要公布了：本公开涉及单向瞬态电压抑制器件，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电极，在第二侧上与衬底接触；第一界面，在衬底与半导体区之间形成TVS二极管的结；以及第二界面，在第一导电电极与半导体区之间或在衬底与第二导电电极之间形成肖特基二极管的结。
本发明授权单向瞬态电压抑制器件在权利要求书中公布了：1.一种瞬态电压抑制器件，包括： 单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型，并且包括彼此相对的第一表面和第二表面； 半导体区，掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且从所述第一表面延伸到所述衬底中； 第一导电电极，在所述第一表面上接触所述半导体区； 第二导电电极，在所述第二表面上接触所述衬底； 第一界面，在所述衬底与所述半导体区之间形成瞬态电压抑制二极管的结； 第二界面，在所述第一导电电极与所述半导体区之间，其中所述半导体区的所述第二导电类型的掺杂浓度在1x1016atcm3和1x1017atcm3之间；或所述第二界面在所述衬底与所述第二导电电极之间形成肖特基二极管的结，其中所述半导体区的所述第二导电类型的掺杂浓度在1x1016atcm3和1x1020atcm3之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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