华虹半导体(无锡)有限公司刘秀勇获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210987106.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法是由刘秀勇;李志国;程光设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽栅结构、阱区、源极、漏极；形成层间绝缘介质层；对漏极施加预设电压，并对沟槽栅结构和源极施加地位电压以对沟槽栅型MOS器件进行高温反向偏压测试；其中，形成所述层间绝缘介质层的步骤包括：形成第一氧化层；形成第二氧化层，不采用等离子体增强CVD工艺形成所述第二氧化层。本申请通过对层间绝缘介质层的膜层结构进行改善，不采用等离子体增强CVD工艺形成其中的第二氧化层，即形成无Plasma的第二氧化层，可以有效避免电子或杂质在工艺过程中进入产品沟道，从而有效避免电子或杂质在器件开启时对沟道造成影响，从而提高器件可靠性。
本发明授权改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽栅结构、位于所述沟槽栅结构侧的阱区和分别位于所述阱区上的所述沟槽栅结构两侧的源极、漏极； 形成层间绝缘介质层，所述层间绝缘介质层覆盖所述衬底表面和所述沟槽栅结构表面； 对所述漏极施加预设电压，并对所述沟槽栅结构和所述源极施加地位电压以对沟槽栅型MOS器件进行高温反向偏压测试； 其中，形成所述层间绝缘介质层的步骤包括： 采用CVD工艺形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述衬底表面和所述沟槽栅结构表面； 形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第一氧化层，其中，不采用等离子体增强CVD工艺形成所述第二氧化层。
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