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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210815310.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统是由李逸帆;倪涛;王娟娟;曾传滨;高林春;李晓静;孙佳星;刘海南;赵发展;罗家俊;韩郑生设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统，方法包括：向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；依次采集各脉冲信号预设时间段对应的电压检测值；预设时段为0～100ns；基于电压检测值确定待测半导体器件的各参考漏电流；基于各脉冲信号之间的漏电流差值及脉冲持续时长拟合自加热效应曲线；如此，由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号，因此可实现多种工作负荷下的测试；并且由于示波器采集的是每个脉冲信号在0～100ns对应的电压数据，可确保采集到的当前脉冲信号对应的电压数据能准确反映上一脉冲信号自加热余热产生的影响，提高自加热余热累加效应对电压数据影响的测量精度。

本发明授权一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种自加热效应的多脉冲测试方法，其特征在于，所述方法包括： 利用任意波形发生器向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；所述冷却不完全的脉冲信号为在每个脉冲周期存在自加热余热的脉冲信号； 每次发送脉冲信号时，利用示波器依次采集各脉冲信号预设时段对应的电压检测值；所述预设时段为0~100ns，所述电压检测值为所述待测半导体器件的漏源电压； 基于所述电压检测值及所述示波器的内阻确定所述待测半导体器件的各参考漏电流； 若确定所述参考漏电流为所需电流，则确定各脉冲信号之间的漏电流差值； 基于各所述漏电流差值及脉冲持续时长确定自加热效应曲线，所述自加热效应曲线用于表征所述半导体器件自加热余热累加过程对电学特性的影响；其中， 所述利用任意波形发生器向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号，包括： 确定目标工作负荷，根据所述目标工作负荷确定冷却不完全脉冲信号的脉冲宽度及脉冲频率； 基于所述脉冲宽度及所述脉冲频率向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；其中， 所述脉冲信号的关断时长小于所述待测半导体器件从自加热稳态对应的温度冷却至常温所需的时长。

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