国际商业机器公司K·巴拉克瑞什那获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利与堆叠的垂直晶体管集成的电阻式随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013505.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权与堆叠的垂直晶体管集成的电阻式随机存取存储器是由K·巴拉克瑞什那;B·海克马特少塔巴瑞;A·雷茨尼采克;安藤崇志设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本与堆叠的垂直晶体管集成的电阻式随机存取存储器在说明书摘要公布了：一种方法可以包括形成一个堆叠在另一个顶上并且由电阻式随机存取存储器结构分开的两个垂直传输场效应晶体管。两个垂直传输场效应晶体管可以包括源极104,112、沟道106,110和漏极，其中，电阻式随机存取存储器结构的接触层152用作两个垂直传输场效应晶体管的漏极。形成两个垂直传输场效应晶体管可以进一步包括形成第一源极104和第二源极112。第一源极104是底部源极，第二源极112是顶部源极。该方法可以包括形成围绕沟道106,110的栅极导体层138,140。电阻式随机存取存储器结构可包含由尖头界定的刻面外延体144。刻面外延体144的尖端可以朝向彼此垂直延伸。刻面外延体144可以在两个垂直传输场效应晶体管之间。
本发明授权与堆叠的垂直晶体管集成的电阻式随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括： 形成从第一源极向上延伸的鳍状物； 形成横向邻近所述鳍状物的材料叠置体，其中，所述材料叠置体从底部到顶部包括第一间隔件、第一牺牲栅极、第二间隔件、第一占位件、第三间隔件、第二牺牲栅极、第四间隔件和第二占位件； 去除所述第一牺牲栅极和所述第二牺牲栅极以形成沟槽并且物理地暴露所述鳍状物的侧壁的部分； 在沟槽内形成第一导体层和第二导体层； 去除所述第一占位件和一部分漏极以形成开口； 在所述漏极的暴露表面上的所述开口内生长刻面外延体，所述刻面外延体包括两个刻面并且由尖形尖端限定，所述刻面外延体的尖形尖端朝向彼此垂直延伸； 在所述刻面外延体的顶部上沉积金属氧化物层； 在所述金属氧化物层的顶部上沉积电极；以及 填充所述电极之间的所述开口以形成接触层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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