长江存储科技有限责任公司周鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利等离子体刻蚀装置及其上电极组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518855.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体刻蚀装置及其上电极组件是由周鹏;王星;张德培;王佳胜设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体刻蚀装置及其上电极组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种等离子体刻蚀装置及其上电极组件，上电极组件包括：基板，包括进气口和连接端，进气口通入反应气体，连接端与电源电连接；至少两级气体导入层，各级气体导入层之间彼此嵌套并分别与基板连接，每级气体导入层均覆盖所述进气口，相邻级气体导入层之间预留了气体流通空间以分级导入所述反应气体，每级气体导入层设有至少一个突出部，突出部表面设有通气孔，以分散经自身导入的反应气体。本申请通过各级气体导入层中的突出部先聚集并分散导入气体导入层，可以改善导入反应腔中气体的浓度均一性，进而基于上述方式导入反应腔的气体可以改善等离子体的浓度均一性，进而提升半导体器件的产品良率。
本发明授权等离子体刻蚀装置及其上电极组件在权利要求书中公布了：1.一种用于等离子体刻蚀装置的上电极组件，其特征在于，包括： 基板，包括进气口和连接端，所述进气口通入反应气体，所述连接端与电源电连接； 至少两级气体导入层，各级气体导入层之间彼此嵌套并分别与所述基板连接，每级所述气体导入层均覆盖所述进气口，相邻级气体导入层之间预留有气体流通空间以分级导入所述反应气体，第一级气体导入层直接与所述基板连接并覆盖进气孔，第二级气体导入层覆盖第一级气体导入层并与所述基板连接， 其中，每级气体导入层包括底板，包括多个通气孔，并具有至少一个突出部，所述突出部表面设有通气孔，以分散经自身导入的所述反应气体，所述突出部上的通气孔的密度大于或者等于所述底板中与所述突出部连接的其他区域中的通气孔的密度，所述气体导入层的级数为所述反应气体自所述进气口通入后被气体导入层导入的次序，所述气体导入层中突出部的数量逐级递增。
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