索尼半导体解决方案公司山元纯平获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件、制造方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115023811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091707.1，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权成像元件、制造方法和电子装置是由山元纯平设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像元件、制造方法和电子装置在说明书摘要公布了：本技术涉及能够形成具有陡峭杂质分布的光电转换部的成像元件、制造方法和电子装置。层叠的第一和第二光电转换部设置在半导体基板的第一表面和与第一表面相对的第二表面之间，第一光电转换部的杂质分布是在第一表面侧具有峰值的分布，第二光电转换部的杂质分布是在第二表面侧具有峰值的分布。第一光电转换部的杂质浓度低的一侧和第二光电转换部的杂质浓度低的一侧彼此面对。本技术能够应用于例如成像元件，该成像元件中，多个光电转换部层叠在半导体基板中。
本发明授权成像元件、制造方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，其包括多个像素，每一像素包括设置在半导体基板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的层叠的第一光电转换部和第二光电转换部，在相邻像素间设置有具有反射功能的像素隔离部， 其中，所述第一光电转换部在层叠方向上具有第一层和第二层，当从所述第一表面侧观察时，所述第一光电转换部中所述第一层的杂质浓度在距所述第一表面的距离增大的方向上降低，所述第一层靠近所述第一表面和所述第二表面的表面被构造为具有凹凸形状，且所述第二层靠近所述第一表面和所述第二表面的表面被构造为具有凹凸形状，且 所述第二光电转换部在层叠方向上具有第三层和第四层，当从所述第二表面侧观察时，所述第二光电转换部中所述第四层的杂质浓度在距所述第二表面的距离增大的方向上降低。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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