长江存储科技有限责任公司李兆松获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210608682.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统是由李兆松;李思晢;毛晓明;高晶设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统，其中，半导体结构的制备方法包括：在基底上形成第一堆叠结构，使用第一光罩形成隔离切槽和标记切槽，隔离切槽和标记切槽沿垂直于基底的第一方向穿过第一堆叠结构并延伸至基底中，之后，向隔离切槽和标记切槽中填入介质材料，以形成隔离结构和标记结构，本发明通过使用一张光罩同时形成隔离切槽和标记切槽，有效地降低了制备半导体结构的工艺成本。
本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在基底上形成第一堆叠结构； 使用第一光罩形成隔离切槽和标记切槽，所述隔离切槽和所述标记切槽沿垂直于所述基底的第一方向穿过所述第一堆叠结构并延伸至所述基底中；以及， 向所述隔离切槽和所述标记切槽中填入介质材料，以形成隔离结构和标记结构； 在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构共同构成存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括在所述第一方向上交替堆叠的多个介质层和多个牺牲层； 使用第二光罩形成第一栅缝隙切槽，所述第一栅缝隙切槽沿所述第一方向穿过所述第二堆叠结构和所述第一堆叠结构，且延伸至所述基底中； 通过所述第一栅缝隙切槽将所述多个牺牲层置换为多个栅极层，所述多个栅极层的材料包括导电材料； 通过所述第一栅缝隙切槽对所述多个栅极层进行回刻蚀，以去除所述第一栅缝隙切槽与所述隔离结构之间的所述导电材料。
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