厦门三安光电有限公司王俞授获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种半导体激光器及其显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114976875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210450686.9,技术领域涉及:H01S5/343;该发明授权一种半导体激光器及其显示装置是由王俞授设计研发完成,并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器及其显示装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体激光器及其显示装置,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层;第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层,第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层;第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层,电子阻挡层在靠近第二半导体层一侧包括至少一部分为P型掺杂层,P型掺杂层的组分大于1E19cm‑3,电子阻挡层靠近第二半导体层一侧的P型掺杂浓度高于电子阻挡层远离第二半导体层的P型掺杂浓度,避免P型掺杂扩散至第二波导层,导致第二波导层吸光上升。
本发明授权一种半导体激光器及其显示装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体激光器,包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层和位于两者之间用于激发出光的有源层;第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层,第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层; 第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层,电子阻挡层包括铝镓氮和或铝铟镓氮, 其特征在于,还包括设置在第二波导层和电子阻挡层之间的高铝阻挡层,高铝阻挡层的铝组分为电子阻挡层的2倍以上,或者设置在电子阻挡层靠近第二波导层的一侧,高铝阻挡层的铝组分为电子阻挡层其他区域的2倍以上。
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