郑州大学杨珣获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210272377.7，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法是由杨珣;陈雪霞;娄庆;董林;单崇新设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了本发明提出一种g‑CNSi异质结位置敏感探测器及其制备方法，g‑CNSi异质结位置敏感探测器包括硅衬底和硅衬底的上沉积的g‑CN薄膜，以及g‑CN薄膜上设置有四个电极；所属制备方法包括：1采用化学气相沉积在Si衬底上制备g‑CN薄膜；2在g‑CN薄膜上通过热蒸发技术蒸镀金属层，采用紫外光刻技术去除金属层多余的金属，得到电极结构。本发明的位置敏感探测器显示出极高的位置灵敏度，可以实现对光斑位置的实时追踪测试。
本发明授权一种g-CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种g-CNSi异质结位置敏感探测器，其特征在于：包括硅衬底，硅衬底的上侧设有g-CN薄膜，g-CN薄膜的上侧设置有电极； 电极的数量为4个，4个电极呈方形排布； 所述g-CNSi异质结位置敏感探测器的位置灵敏度为340-400mVmm； 所述g-CNSi位置敏感探测器的对光波长的检测范围为300-1100nm； 采用化学气相沉积在Si衬底上制备g-CN薄膜，具体方法如下： 采用Si衬底作为生长衬底，称取2-10g的三聚氰胺置于管式炉的第一温区，第一温区的目标温度为250-350℃，升温速度为20℃min；将Si衬底置于管式炉的第二温区，第二温区的目标温度为500-600℃，升温速率为20℃min；第一温区和第二温区到达目标温度后控制生长时间为5-180min，生长结束后，自然冷却到室温。
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