日立金属株式会社野津稔获国家专利权
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龙图腾网获悉日立金属株式会社申请的专利非互易电路元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111376577.9，技术领域涉及：H01P1/32；该发明授权非互易电路元件是由野津稔;仓元建二;寺胁武文;榎木雅人设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本非互易电路元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种适合于3GHz～6GHz频带的非互易电路元件。非互易电路元件包括：具有主面的亚铁磁性体3；多个中心导体4、5、6，其以相互绝缘的状态配置在亚铁磁性体的主面；和层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁2B和含有Sm的稀土类磁铁2A层叠而成的，且与多个中心导体相对地配置，层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为‑0.14％℃以上‑0.06％℃以下。亚铁磁性体优选具有40mT以上80mT以下的饱和磁通密度，该饱和磁通密度的温度系数为‑0.45％℃以上‑0.25％℃以下，并且亚铁磁性体为低铁磁共振半峰宽ΔH＜2500Am。
本发明授权非互易电路元件在权利要求书中公布了：1.一种非互易电路元件，其特征在于，包括： 具有主面的亚铁磁性体； 多个中心导体，其以相互绝缘的状态配置在所述亚铁磁性体的主面；和 层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁和含有Sm的稀土类磁铁层叠而成的，且与所述多个中心导体相对地配置， 所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为-0.14％℃以上-0.06％℃以下，所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数与所述亚铁磁性体的饱和磁通密度的温度系数相比斜率为12以下， 在所述非互易电路元件的插入损耗的频率特性中，主频带的谐振频率与最接近所述谐振频率的衰减极点在-40℃至125℃的温度范围内相距200MHz以上。
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