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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210173104.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法是由徐晨;解意洋;钱峰松;邓军;胡良臣设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CVD系统中生长石墨烯，石墨烯只生长在铜箔覆盖的区域从而达到在集成电路芯片上直接图形化生长石墨烯的目的。该方法为石墨烯基集成电路的开发提供了新的思路，有利于加快石墨烯的商业化应用进程。

本发明授权一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1准备单晶性良好的超薄铜箔，铜箔越薄，后续制备图形化铜箔的步骤中腐蚀的时间越短，可以避免钻蚀，有利于图形化铜箔保形； 步骤2将步骤1得到的超薄铜箔进行裁剪，使其尺寸接近或稍小于目标集成电路芯片的尺寸； 步骤3使用压合机一定的温度和压力条件下对铜箔和目标集成电路芯片在进行压合，压合完成后的铜箔紧紧贴附在芯片的表面并且不会脱落； 步骤4通过光刻工艺在需要生长石墨烯的区域制备出光刻胶掩膜； 步骤5使用铜腐蚀液去除光刻胶掩膜以外的不需要生长石墨烯的区域的铜； 步骤6将芯片样品置于三温区梯度温控的热CVD系统中进行石墨烯低温生长，该系统中的前温区设定为高温用于热解碳源，中间温区的温度介于前后两温区之间作为温度缓冲区，后温区设定为低温区用于生长石墨烯； 步骤7在完成石墨烯生长的芯片上表面旋涂PMMA并烘干，以作为石墨烯的支撑层； 步骤8将芯片浸入铜腐蚀液中，腐蚀液会透过PMMA层从石墨烯的边缘慢慢向内腐蚀下面的铜，直至铜被完全去除； 步骤9使用去离子水漂净芯片上残留的腐蚀液并烘干，用丙酮和异丙醇清洗掉PMMA，最终得到直接生长在集成电路芯片上的图形化石墨烯； 所述的单晶性良好的超薄铜箔为具有单一晶向的铜箔，晶向为铜的任一晶向，厚度不超过10μm； 用于催化生长石墨烯的单晶铜箔通过压合机贴附在集成电路芯片上； 所述压合机在压合过程中的温度为300-400℃，压合机施加的压力为200-700Kgcm2； 所述对铜箔和目标集成电路芯片进行压合的时间为2-10h； 所述铜腐蚀液为硫酸铜盐酸溶液或三氯化铁溶液； 所述铜腐蚀液的工作温度为室温至60℃之间； 所述低温生长石墨烯所使用的热CVD系统为三温区管式炉，进行生长时，管式炉的前温区温度设置为900-1200℃，中间温区温度设置为500-800℃，后温区温度设置为200-400℃； 所述PMMA的旋涂厚度为300-800nm； 所述PMMA的旋涂后的烘干温度为150℃，烘干时间为10min。

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