联华电子股份有限公司黄志文获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利功函数金属栅极装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011244345.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权功函数金属栅极装置是由黄志文;黄士安设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本功函数金属栅极装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种功函数金属栅极装置，包含一栅极、一漂移区、一源极、一漏极以及一第一绝缘结构。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一中突的阶梯状功函数金属堆叠结构或者一中凹的阶梯状功函数金属堆叠结构。漂移区设置于栅极的一部分下方的基底中。源极位于基底中，以及漏极位于栅极侧边的漂移区中。第一绝缘结构设置于栅极以及漏极之间的漂移区中。
本发明授权功函数金属栅极装置在权利要求书中公布了：1.一种功函数金属栅极装置，其特征在于，包含： 栅极，设置于基底上，其中该栅极包含中突的阶梯状功函数金属堆叠结构； 漂移区，设置于该栅极的一部分下方的该基底中； 源极，位于该基底中，以及漏极位于该栅极侧边的该漂移区中；以及 第一绝缘结构，设置于该栅极以及该漏极之间的该漂移区中， 其中该中突的阶梯状功函数金属堆叠结构具有金字塔型阶梯状剖面结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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