长江存储科技有限责任公司黄武根获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210126669.X，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统是由黄武根;王溢欢;肖亮;华子群设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统。该存储器结构包括：表面具有存储器阵列的第一衬底，第一衬底表面具有核心区域和外围电路区域，外围电路区域环绕核心区域，存储器阵列位于核心区域中；多个间隔设置的介电隔离结构，各介电隔离结构贯穿位于核心区域与外围电路区域之间的第一衬底，且各介电隔离结构环绕核心区域；介电连接部，贯穿第一衬底，且介电连接部连接相邻的介电隔离结构。上述存储器结构中具有多个间隔设置的介电隔离结构，且通过介电连接部连接，从而在介电隔离结构存在断开缺陷的情况下，能够通过介电连接部连接将核心区域和外围电路区域彻底隔离，从而减少缺陷引发的漏电问题，提高产品的可靠性。
本发明授权存储器结构、其制作方法、三维存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 表面具有存储器阵列的第一衬底，所述第一衬底表面具有核心区域和外围电路区域，所述外围电路区域环绕所述核心区域，所述存储器阵列位于所述核心区域中； 多个间隔设置的介电隔离结构，各所述介电隔离结构贯穿位于所述核心区域与所述外围电路区域之间的所述第一衬底，且各所述介电隔离结构环绕所述核心区域； 介电连接部，贯穿所述第一衬底，且所述介电连接部连接相邻的所述介电隔离结构。
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