联华电子股份有限公司黄圣尧获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011177946.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体元件及其制作方法是由黄圣尧;陈昱瑞;蔡仁杰;林毓翔设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件，包括一基底、一埋入氧化层位于该基底中，该埋入氧化层邻近该基底的一表面、一栅极介电层位于该基底上并且覆盖该埋入氧化层、一栅极结构位于该栅极介电层上，并且重叠该埋入氧化层，以及一源极区及一漏极区分别位于该栅极结构两侧的该基底中。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括 基底； 埋入氧化层，埋设在该基底中，该埋入氧化层邻近该基底的表面； 栅极介电层，位于该基底上并且完全覆盖该埋入氧化层； 栅极结构，位于该栅极介电层上，并且重叠该埋入氧化层；以及 源极区及漏极区，分别位于该栅极结构两侧的该基底中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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