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龙图腾网获悉无锡中微高科电子有限公司申请的专利高密度基板结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210081906.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权高密度基板结构及其加工方法是由安东;张爱兵;李轶楠设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度基板结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高密度基板结构及其加工方法，在载板的镂空区域内设有硅通孔芯片，在硅通孔芯片金属柱凸块与对应的载板金属柱凸块上设有新基板第二布线层，在新基板第二布线层上设有新基板第二金属凸块，在新基板第二金属凸块上设有新基板第三布线层；在硅通孔芯片金属柱的下端部与对应的载板金属柱凸块上设有新基板第一布线层，在新基板第一布线层上设有新基板第一金属凸块，在新基板第一金属凸块上设有新基板第四布线层；在新基板第三布线层与新基板第四布线层上均设有阻焊层。本发明提高了高密度基板的单位面积的布线密度、降低了体积与厚度并减少了在高频下的介电损耗。

本发明授权高密度基板结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度基板的加工方法，其特征是该方法包括以下步骤： S1、提供载板101，在载板101内设有已经预先制作了载板金属柱102，并在载板金属柱102的上、下两端部设有已经预先制作了载板金属柱凸块103，备用； S2、提供硅通孔芯片201，硅通孔芯片201的内部已经预先设置了互联垂直的硅通孔芯片金属柱202，在硅通孔芯片金属柱202的上端部已经预先制作了硅通孔芯片金属柱凸块203，备用； S3、将载板101的正面与背面压第一包覆膜301后，研磨背面至露出载板金属柱凸块103； S4、在载板101的中间铣出镂空区域，将镂空后的载板101贴附到带有热剥离膜302的载具303上，然后把硅通孔芯片201装片至镂空区域里，硅通孔芯片201的正面朝上； S5、用第二包覆膜304将载板101与硅通孔芯片201包覆，并去除热剥离膜302和载具303，形成新基板； S6、在新基板的背面进行布线和金属凸块的生长，形成新基板第一布线层305与新基板第一金属凸块306，并用第三包覆膜307进行包覆，用来保护新基板第一布线层305和新基板第一金属凸块306； S7、对新基板的正面进行减薄直至露出载板金属柱凸块103与硅通孔芯片金属柱凸块203，并在载板金属柱凸块103与硅通孔芯片金属柱凸块203的表面进行再布线与生长金属凸块，形成新基板第二布线层309与新基板第二金属凸块308； S8、在新基板的正面采用第四包覆膜310进行包覆，然后减薄至露出新基板第二金属凸块308，并在新基板第二金属凸块308的表面进行再布线，形成新基板第三布线层311； S9、对新基板的背面进行减薄至露出新基板第一金属凸块306，并在新基板第一金属凸块306的表面进行再布线，形成新基板第四布线层312； S10、在新基板第三布线层311与新基板第四布线层312的表面进行阻焊成型，形成阻焊层313，从而完成高密度基板的加工。

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