浙江大学杭州国际科创中心王蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种GaN基器件隔离的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111376312.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种GaN基器件隔离的方法是由王蓉;开翠红;皮孝东;刘小平;杨德仁设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基器件隔离的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaNHEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深能级杂质，在需要隔离的区域掺杂Fe可形成高阻态，从而实现器件隔离的目的。该方法通过高能激光脉冲使样品出现重结晶，在重结晶过程中引入Fe杂质，能够减少隔离区域的缺陷密度。
本发明授权一种GaN基器件隔离的方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1提供样品，在样品表面通过光刻露出需要做器件隔离的区域； 2在步骤1所述样品的表面蒸镀金属膜； 3除需要做器件隔离区域覆盖的金属膜，去除其余金属膜； 4通过激光脉冲照射步骤3剩余的金属膜覆盖区域，以使得金属扩散进入样品并使样 品重结晶，将金属并入样品晶格； 5去除步骤4残余的金属膜； 所述的金属膜为Fe金属膜，所用的Fe源纯度为99.999％； 所述的金属膜的厚度为1-20nm； 步骤2中，蒸镀金属膜的方法包括电子束蒸发，热蒸发或磁控溅射； 步骤4中，激光脉冲的波长为1030nm，脉冲宽度为0.13ps，平均功率30-70mW，激光重频2000Hz，激光脉冲的照射角度为垂直射入； 步骤4中，样品重结晶过程中，金属的掺杂浓度为1×1018m-3-1×1020cm-3。
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