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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110971630.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由大桥直史;松井俊设计研发完成，并于2021-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。在加热处理衬底的衬底处理装置中，即使衬底间的处理环境变化也能使衬底间的膜质均匀。具有如下工序：搬入工序，将衬底搬入处理室；膜处理工序，在将设置于处理室的上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器加热的同时，经由分散板向处理室内的衬底供给气体，并且将气体从处理室排气；搬出工序，将衬底从处理室搬出；温度测定工序，在接下来待处理的衬底的搬入前测定簇射头的温度；和温度调节工序，在温度测定工序后，对簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在其差比规定值大的情况下，以使设置于簇射头的簇射头加热器工作从而接近预先设定的温度的方式进行控制。

本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序： 搬入工序，将衬底搬入处理室并将所述衬底载置在衬底载置台上； 膜处理工序，在所述搬入工序后，在使所述衬底载置台上升而移动到衬底处理位置的状态下，用设于所述衬底载置台的衬底载置台加热器对所述衬底进行加热，同时将设置于所述处理室的上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器以使得所述簇射头加热器的上方设有电极的区域的加热温度比所述簇射头加热器的其他区域的加热温度高的方式加热，同时经由所述分散板向所述处理室内的所述衬底供给气体，并且将所述气体从所述处理室排气，所述电极能够在所述处理室生成等离子体，且热传导率高于所述分散板的热传导率，所述簇射头加热器被构成为在所述分散板的边缘部处与所述分散板之间的距离比在所述分散板的中心部处与所述分散板之间的距离短； 搬出工序，在所述膜处理工序后，使所述衬底载置台下降而移动到衬底搬送位置，将所述衬底从所述处理室搬出； 温度测定工序，在所述搬出工序后，在将所述衬底载置台维持于所述衬底搬送位置的状态下，在接下来待处理的所述衬底的搬入前测定所述簇射头的温度；和 温度调节工序，在所述温度测定工序后，对所述簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在所述簇射头的温度与预先设定的温度之差比规定值大的情况下，以使设置于所述簇射头的簇射头加热器工作从而接近所述预先设定的温度的方式进行控制，使得所述簇射头加热器以使所述分散板的中央的温度比边缘部高的方式进行加热。

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