中芯集成电路(宁波)有限公司李伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利薄膜体声波谐振器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114070223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010762722.6，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权薄膜体声波谐振器及其制造方法是由李伟;罗海龙设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜体声波谐振器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，其中，薄膜体声波谐振器包括：第一衬底及设置于第一衬底上的支撑层，支撑层中设有第一空腔；压电叠层结构，覆盖第一空腔，压电叠层结构包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极；第一沟槽，设置于压电叠层结构上，并贯穿第一电极和压电层，第一沟槽与第一空腔连通；第二沟槽，设置于压电叠层结构上，并贯穿第二电极和压电层；第一沟槽和第二沟槽围成的区域为谐振器的有效谐振区；介质层，设置于第一沟槽内和或第二沟槽内。本发明通过在沟槽内填充介质层，以与沟槽所在区域的电极形成支撑，以加强器件结构的牢固度，避免谐振器结构破损，此外，还形成声阻抗失配，以防止声波泄露。
本发明授权薄膜体声波谐振器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括： 第一衬底及设置于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中设有第一空腔； 压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极； 第一沟槽，设置于所述压电叠层结构上，并贯穿所述第一电极和所述压电层，所述第一沟槽与所述第一空腔连通； 第二沟槽，设置于所述压电叠层结构上，并贯穿所述第二电极和所述压电层； 所述第一沟槽和所述第二沟槽围成的区域为所述谐振器的有效谐振区； 介质层，设置于所述第一沟槽内和或所述第二沟槽内； 所述介质层材料与所述压电层材料的声阻抗不同； 所述第一沟槽的侧壁与所述第二电极所在的平面的倾角大于90度小于160度；所述第二沟槽的侧壁与所述第一电极所在的平面的倾角大于90度小于160度。
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