长江存储科技有限责任公司张权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及存储器连接触点的电阻的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325511.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及存储器连接触点的电阻的测试方法是由张权;黄磊;郑祖辉;彭进设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及存储器连接触点的电阻的测试方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种对半导体结构中连接触点的电阻进行测试的测试单元，测试单元包括多个测试结构，其中：每个所述测试结构包括至少两个连接触点、与连接触点电连接的导电结构和至少两个导电单元，并且在每个测试结构中，导电单元、连接触点、导电结构、连接触点以及导电单元依次排列，并且彼此端对端地连接，以形成串联结构；以及在不同测试结构之间，导电单元和或导电结构的电阻不同。
本发明授权半导体结构及存储器连接触点的电阻的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种对半导体结构中连接触点的电阻进行测试的测试单元，其特征在于，所述测试单元包括多个测试结构，其中： 每个所述测试结构包括至少两个同层设置的连接触点、导电结构以及至少两个同层设置的导电单元，所述导电结构、所述连接触点和所述导电单元分别位于不同层； 其中，在每个所述测试结构中，所述导电单元、所述连接触点、所述导电结构、所述连接触点以及所述导电单元依次排列，并且彼此端对端地连接，以形成串联结构，其中，所述连接触点的一端与所述导电单元电连接，另外一端与所述导电结构电连接；以及 在不同所述测试结构之间，所述导电单元和所述导电结构的电阻不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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