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广东汇芯半导体有限公司冯宇翔获国家专利权

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龙图腾网获悉广东汇芯半导体有限公司申请的专利高压集成电路、半导体电路及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114039585B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111272716.3,技术领域涉及:H03K17/06;该发明授权高压集成电路、半导体电路及其制备方法是由冯宇翔;潘志坚;谢荣才;张土明;左安超设计研发完成,并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

高压集成电路、半导体电路及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种高压集成电路、半导体电路及其制备方法,通过预充电控制电路在检测到第一低压侧电源端口的输出电压满足预设阈值范围,且HVIC基础电路处于非保护状态时,向自举电路传输预充电信号,以使HVIC基础电路进入预充电状态;且预充电控制电路在HVIC基础电路为预充电状态时,向HVIC基础电路传输停止使能信号,使得HVIC基础电路停止驱动信号输出,进而自举电路可根据获取到的预充电信号,控制第一低压侧电源端口向第一高压侧浮动电源端口充电,实现对HVIC基础电路的预充电。本申请的集成HVIC,不需要外加自举电路,降低了产品应用成本,MCU程序设计时不需设计预充电时间;集成的HVIC可以更好保证掉电又上电这种情况下的自举电容电压,提高了产品可靠性。

本发明授权高压集成电路、半导体电路及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高压集成电路,其特征在于,包括: HVIC基础电路,所述HVIC基础电路包括第一低压侧电源端口、第一高压侧浮动电源端口,所述HVIC基础电路包括斯密特电路、低压LEVELSHIFT电路、高压LEVELSHIFT电路、脉冲发生电路、死区及互锁电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路和过热保护电路、欠压保护电路; 自举电路,所述自举电路连接所述HVIC基础电路;所述自举电路被配置为获取预充电信号,并根据所述预充电信号,控制所述HVIC基础电路的第一低压侧电源端口向所述HVIC基础电路的第一高压侧浮动电源端口充电; 预充电控制电路,所述预充电控制电路分别连接所述HVIC基础电路、所述自举电路,被配置为在检测到所述HVIC基础电路的第一低压侧电源端口的输出电压满足预设阈值范围,且所述HVIC基础电路处于非保护状态即正常运行状态,也即没有包括过流、过温和欠压状态时,向所述自举电路传输所述预充电信号,以使所述HVIC基础电路进入预充电状态;所述预充电控制电路还被配置为在所述HVIC基础电路为预充电状态时,向所述HVIC基础电路传输停止使能信号;所述停止使能信号用于指示所述HVIC基础电路停止驱动信号输出; 所述自举电路包括电荷泵电路、自举MOS、自举MOS驱动电路和自举逻辑控制电路; 所述电荷泵电路和所述自举逻辑控制电路分别连接所述自举MOS驱动电路;所述自举MOS驱动电路连接所述自举MOS的栅极;所述自举MOS的源极连接所述HVIC基础电路的第一低压侧电源端口;所述自举MOS的漏极连接所述HVIC基础电路的第一高压侧浮动电源端口;所述自举逻辑控制电路分别连接所述预充电控制电路、所述HVIC基础电路; 所述预充电控制电路包括电压上升沿检测电路、充电计时电路和预充电逻辑控制电路; 所述电压上升沿检测电路、所述充电计时电路和所述预充电逻辑控制电路三者之间两两相互连接;电压上升沿检测电路连接所述HVIC基础电路的第一低压侧电源端口;电压上升沿检测电路分别连接所述预充电控制电路、所述HVIC基础电路; 所述电压上升沿检测电路包括第一逻辑控制子电路、第一比较器、第二比较器、第一电阻、第二电阻、第一供电源和第二供电源; 所述第一电阻的第一端连接所述HVIC基础电路的第一低压侧电源端口,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接地线;所述第一比较器的第一输入端连接所述第一电阻的第二端,所述第一比较器的第二输入端连接所述第一供电源的正极;所述第二比较器的第一输入端连接所述第二电阻的第一端,所述第二比较器的第二输入端连接所述第二供电源的正极;所述第一供电源的负极、所述第二供电源的负极分别连接地线;所述第一比较器的输出端、所述第二比较器的输出端分别连接所述第一逻辑控制子电路;所述第一逻辑控制电路分别连接所述充电计时电路、所述预充电逻辑控制电路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广东汇芯半导体有限公司,其通讯地址为:528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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